डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 25

MBRTA40020L

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF12060R

भाग स्टक: 4275

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040L

भाग स्टक: 4258

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045RL

भाग स्टक: 4303

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020L

भाग स्टक: 4233

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF50045R

भाग स्टक: 4203

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200200R

भाग स्टक: 4205

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60030R

भाग स्टक: 4236

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60080R

भाग स्टक: 4250

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF40060

भाग स्टक: 4306

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080

भाग स्टक: 4293

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030R

भाग स्टक: 4272

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF12080

भाग स्टक: 4189

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045RL

भाग स्टक: 4278

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60040R

भाग स्टक: 4283

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF50035R

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTL

भाग स्टक: 4205

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200150

भाग स्टक: 4237

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTRL

भाग स्टक: 4163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035L

भाग स्टक: 4230

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF30040R

भाग स्टक: 4291

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF600100

भाग स्टक: 4253

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST6380M

भाग स्टक: 4208

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF200200

भाग स्टक: 4239

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF40005

भाग स्टक: 4307

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST6315M

भाग स्टक: 4423

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045RL

भाग स्टक: 4185

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030

भाग स्टक: 4230

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST7330M

भाग स्टक: 4220

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

UFT7360M

भाग स्टक: 4241

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT60045RL

भाग स्टक: 4186

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST83100M

भाग स्टक: 6711

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF10060R

भाग स्टक: 1343

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST8335SM

भाग स्टक: 4418

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF10010R

भाग स्टक: 1342

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF20005

भाग स्टक: 1290

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची