ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

AO4822L_101

भाग स्टक: 2926

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL

भाग स्टक: 2937

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL_102

भाग स्टक: 2930

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4821L

भाग स्टक: 2889

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 850mV @ 250µA,

AO4822_101

भाग स्टक: 2919

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4818BL_101

भाग स्टक: 2886

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4818L

भाग स्टक: 2884

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4812L_101

भाग स्टक: 2974

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4812L

भाग स्टक: 2904

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4812_101

भाग स्टक: 2947

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4807L

भाग स्टक: 2938

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4806L

भाग स्टक: 2910

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

AO4803L

भाग स्टक: 2914

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

भाग स्टक: 2939

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

भाग स्टक: 2963

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

भाग स्टक: 2906

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

भाग स्टक: 2971

AO4801AL

भाग स्टक: 2897

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

भाग स्टक: 2928

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

भाग स्टक: 2903

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

भाग स्टक: 3349

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

भाग स्टक: 2973

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

भाग स्टक: 2888

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AO4613_001

भाग स्टक: 2944

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AON6971

भाग स्टक: 2884

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 23A, 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

AO4952

भाग स्टक: 190149

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

APTMC60TLM55CT3AG

भाग स्टक: 222

FET प्रकार: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 48A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

भाग स्टक: 166

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 131A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

भाग स्टक: 420

FET प्रकार: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 28A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

भाग स्टक: 647

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 59A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

भाग स्टक: 686

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

भाग स्टक: 2914

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

भाग स्टक: 3376

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

भाग स्टक: 2888

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 52A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

भाग स्टक: 2940

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

भाग स्टक: 2898

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 154A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,