ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

घर
उत्पादन कोटी
असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू
ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

भाग स्टक: 261

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 34A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

भाग स्टक: 446

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 278A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

भाग स्टक: 2107

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

भाग स्टक: 139

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V (1.7kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 5mA (Typ),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

भाग स्टक: 1065

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

भाग स्टक: 381

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 208A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

भाग स्टक: 433

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 317A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

भाग स्टक: 940

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

भाग स्टक: 1470

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 70A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

भाग स्टक: 1719

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

भाग स्टक: 1728

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

भाग स्टक: 599

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

भाग स्टक: 489

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 175A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

भाग स्टक: 743

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

भाग स्टक: 1759

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

भाग स्टक: 248

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5.4mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

भाग स्टक: 545

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

भाग स्टक: 688

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5.4mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

भाग स्टक: 820

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 278A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

भाग स्टक: 1479

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

भाग स्टक: 1300

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

भाग स्टक: 1022

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

भाग स्टक: 2362

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

भाग स्टक: 667

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 46A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

भाग स्टक: 173

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 143A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 2mA (Typ),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM120A20DG

भाग स्टक: 538

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 6mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

भाग स्टक: 293

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

भाग स्टक: 251

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 74A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 15mA,

ईच्छाको लागि

APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

भाग स्टक: 1269

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

भाग स्टक: 1114

FET प्रकार: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

भाग स्टक: 1965

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 70A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

भाग स्टक: 553

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 300A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 6mA,

ईच्छाको लागि

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

भाग स्टक: 1722

FET प्रकार: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

भाग स्टक: 404

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 43A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

भाग स्टक: 784

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

भाग स्टक: 537

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 104A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

3600

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»