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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

AUIRF7343Q
Infineon Technologies

AUIRF7343Q

भाग स्टक: 2791

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.7A, 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
ALD1115MAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115MAL

भाग स्टक: 31406

FET प्रकार: N and P-Channel Complementary, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1µA,

ईच्छाको लागि
ALD111933MAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933MAL

भाग स्टक: 33438

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.35V @ 1µA,

ईच्छाको लागि
AO6810
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6810

भाग स्टक: 3334

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
APTM60A23FT1G
Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

भाग स्टक: 2807

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
APTM50TDUM65PG
Microsemi Corporation

APTM50TDUM65PG

भाग स्टक: 3356

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DUM38TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM38TG

भाग स्टक: 2789

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DUM25TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM25TG

भाग स्टक: 2781

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 149A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DUM35TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

भाग स्टक: 2820

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 99A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DUM19G
Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

भाग स्टक: 2832

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 163A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DUM17G
Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

भाग स्टक: 2758

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 180A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DSKM65T3G
Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

भाग स्टक: 3279

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DHM75TG
Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

भाग स्टक: 2739

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 46A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DSK10T3G
Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

भाग स्टक: 2805

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 37A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
APTM50DHM65TG
Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

भाग स्टक: 3354

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50AM25FTG
Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

भाग स्टक: 2755

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 149A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

ईच्छाको लागि
APTM50AM70FT1G
Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

भाग स्टक: 2771

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 50A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM50A15FT1G
Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

भाग स्टक: 2761

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
APTM50AM19STG
Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

भाग स्टक: 2747

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि
APTM20DUM10TG
Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

भाग स्टक: 2803

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 175A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM20TDUM16PG
Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

भाग स्टक: 2825

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 104A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM20DUM05TG
Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

भाग स्टक: 2827

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 333A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

ईच्छाको लागि
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

भाग स्टक: 2785

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 175A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM20DHM16TG
Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

भाग स्टक: 2733

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 104A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM20DHM08G
Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

भाग स्टक: 2824

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 208A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM20AM05FTG
Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

भाग स्टक: 2762

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 333A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

ईच्छाको लागि
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

भाग स्टक: 2732

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120H57FT3G
Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

भाग स्टक: 2766

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120DU29TG
Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

भाग स्टक: 2792

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 34A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120DSK57T3G
Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

भाग स्टक: 2791

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120A80FT1G
Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

भाग स्टक: 2744

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120DDA57T3G
Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

भाग स्टक: 2827

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM120A65FT1G
Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

भाग स्टक: 2750

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM10TDUM19PG
Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

भाग स्टक: 2820

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

भाग स्टक: 2746

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि
APTM10HM09FTG
Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

भाग स्टक: 2809

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि