वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Active |
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FET प्रकार | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
FET फिचर | Silicon Carbide (SiC) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 1200V (1.2kV) |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 28A (Tc) |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 2.2V @ 1mA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 49nC @ 20V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 950pF @ 1000V |
पावर - अधिकतम | 125W |
अपरेटिंग तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Chassis Mount |
प्याकेज / केस | SP3 |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | SP3 |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
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ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |