डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

SB250-E3/73

भाग स्टक: 155300

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRL-M3

भाग स्टक: 73852

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06HM3/87A

भाग स्टक: 157331

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 58ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01HM3/86A

भाग स्टक: 114171

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 22ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRRHM3

भाग स्टक: 68740

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035STRL-M3

भाग स्टक: 73749

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735TRR-M3

भाग स्टक: 108885

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PN50-M3/87A

भाग स्टक: 132705

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41D/54

भाग स्टक: 130394

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045B-M3

भाग स्टक: 178240

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRRHM3

भाग स्टक: 62357

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 10A, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035STRR-M3

भाग स्टक: 107964

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10-M3/I

भाग स्टक: 100

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040HN3

भाग स्टक: 115529

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22/1

भाग स्टक: 119654

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ045HF4

भाग स्टक: 15904

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340TRL-M3

भाग स्टक: 184854

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTR-M3

भाग स्टक: 185417

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ100HF4

भाग स्टक: 15724

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035S-M3

भाग स्टक: 114467

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRLHM3

भाग स्टक: 68110

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRHM3

भाग स्टक: 86081

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFLR60S02

भाग स्टक: 4772

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.85V @ 219.8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRL-M3

भाग स्टक: 88650

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035HN3

भाग स्टक: 76769

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/86A

भाग स्टक: 115386

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4.3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRHM3

भाग स्टक: 86711

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12-M3/I

भाग स्टक: 133

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/H

भाग स्टक: 161

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45-M3/87A

भाग स्टक: 139828

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4.3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRLHM3

भाग स्टक: 70196

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNHM3

भाग स्टक: 62384

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRLHM3

भाग स्टक: 70225

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635TRL-M3

भाग स्टक: 79595

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRR-M3

भाग स्टक: 131298

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635-M3

भाग स्टक: 95318

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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