डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

VS-71HF80

भाग स्टक: 6884

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRRHM3

भाग स्टक: 69346

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRRHM3

भाग स्टक: 163454

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2J-M3/5AT

भाग स्टक: 172028

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-175BGQ030HF4

भाग स्टक: 12547

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 175A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 175A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FLR80S05

भाग स्टक: 12963

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFL10S05

भाग स्टक: 7032

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.85V @ 219.8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR60S02M

भाग स्टक: 4211

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 125A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRL-M3

भाग स्टक: 90025

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24SHE3_B/I

भाग स्टक: 125

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1B-M3/5AT

भाग स्टक: 196535

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL80S05

भाग स्टक: 12307

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRLHM3

भाग स्टक: 101812

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EMH01-M3/5AT

भाग स्टक: 128994

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735-M3

भाग स्टक: 137372

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2D-E3/H

भाग स्टक: 162

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRL-M3

भाग स्टक: 183446

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FH10-M3/I

भाग स्टक: 119310

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HFR160M

भाग स्टक: 3607

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.46V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR60

भाग स्टक: 8691

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF10

भाग स्टक: 8698

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 267A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16F80M

भाग स्टक: 8745

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.23V @ 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23S-M3/61T

भाग स्टक: 196490

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF20M

भाग स्टक: 3892

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 267A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH1B-E3/5AT

भाग स्टक: 193072

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HF140M

भाग स्टक: 4564

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.46V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR160

भाग स्टक: 6220

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.46V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N2137A

भाग स्टक: 7865

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 188A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040S-M3

भाग स्टक: 115556

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR100M

भाग स्टक: 8680

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 19A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/61T

भाग स्टक: 194276

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3889

भाग स्टक: 14203

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FL60S02

भाग स्टक: 13567

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR140

भाग स्टक: 7047

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 267A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120M

भाग स्टक: 4382

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR20S02

भाग स्टक: 10473

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.95V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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