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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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VS-50WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRRHM3

भाग स्टक: 84456

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

भाग स्टक: 137173

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

भाग स्टक: 165407

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS3P4HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

भाग स्टक: 147714

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V25PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

भाग स्टक: 175827

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

भाग स्टक: 89223

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

भाग स्टक: 155152

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,

इच्छा सुची
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

भाग स्टक: 190434

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

भाग स्टक: 160826

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V15P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

भाग स्टक: 174345

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4.6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V8PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

भाग स्टक: 163

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-18TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

भाग स्टक: 74294

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-50WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

भाग स्टक: 149737

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

भाग स्टक: 89952

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

भाग स्टक: 103193

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 2.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,

इच्छा सुची
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

भाग स्टक: 90505

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V10PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

भाग स्टक: 136

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

भाग स्टक: 162247

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

इच्छा सुची
VS-MBRB1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

भाग स्टक: 127819

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB1045TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

भाग स्टक: 41979

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

भाग स्टक: 150468

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

भाग स्टक: 184643

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-50WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

भाग स्टक: 193615

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

भाग स्टक: 194467

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

भाग स्टक: 196085

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,

इच्छा सुची
SS3P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

भाग स्टक: 153102

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-50WQ03FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

भाग स्टक: 163940

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-50WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

भाग स्टक: 84444

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

भाग स्टक: 117706

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

भाग स्टक: 197445

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-100BGQ015HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

भाग स्टक: 15969

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V15P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

भाग स्टक: 125

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB1645TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

भाग स्टक: 73811

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP10D-4003HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

भाग स्टक: 133983

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

भाग स्टक: 164121

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

भाग स्टक: 83725

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची