ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 6

RN4910(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1539

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1506(TE85L,F)

भाग स्टक: 128569

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 147906

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2511(TE85L,F)

भाग स्टक: 175959

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902,LF

भाग स्टक: 3229

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2962FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 1530

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1971FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 1504

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2711(TE85L,F)

भाग स्टक: 1466

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 400 @ 1mA, 5V,

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RN2969(TE85L,F)

भाग स्टक: 178670

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2902(T5L,F,T)

भाग स्टक: 3238

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2967(TE85L,F)

भाग स्टक: 142485

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1906FE,LF(CT

भाग स्टक: 162851

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1510(TE85L,F)

भाग स्टक: 122352

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2907(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1469

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2961FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 1534

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1906,LF

भाग स्टक: 1510

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2711JE(TE85L,F)

भाग स्टक: 139401

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1605TE85LF

भाग स्टक: 170733

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

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RN1701JE(TE85L,F)

भाग स्टक: 13233

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2601(TE85L,F)

भाग स्टक: 9992

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2964FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 1469

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4911(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1556

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1469

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901,LF

भाग स्टक: 1493

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1611(TE85L,F)

भाग स्टक: 159685

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963(TE85L,F)

भाग स्टक: 101550

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF

भाग स्टक: 1472

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

भाग स्टक: 148274

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1969FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 1468

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1414

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903,LF

भाग स्टक: 1496

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4988(T5L,F,T)

भाग स्टक: 132419

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 111376

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2709JE(TE85L,F)

भाग स्टक: 180658

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2604(TE85L,F)

भाग स्टक: 165277

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902FE,LF(CT

भाग स्टक: 121303

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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