ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू

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ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

भाग स्टक: 155661

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

भाग स्टक: 100168

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

भाग स्टक: 117289

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

भाग स्टक: 155823

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

भाग स्टक: 171

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Common Base, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

भाग स्टक: 167274

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

भाग स्टक: 141983

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

भाग स्टक: 156520

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

भाग स्टक: 4654

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

भाग स्टक: 124479

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

भाग स्टक: 4497

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

भाग स्टक: 4567

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

भाग स्टक: 178604

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

भाग स्टक: 149134

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, 700mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

भाग स्टक: 133632

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

भाग स्टक: 4470

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

भाग स्टक: 4484

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

भाग स्टक: 131

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 140mV @ 20mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

भाग स्टक: 4503

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

भाग स्टक: 154422

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

भाग स्टक: 4508

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा सुची

HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

भाग स्टक: 175513

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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