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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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TPCA8010-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12L,Q

भाग स्टक: 6033

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

इच्छा सुची
TPCA8009-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8009-H(TE12L,Q

भाग स्टक: 9563

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V,

इच्छा सुची
TPCA8016-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8016-H(TE12LQM

भाग स्टक: 9528

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 25A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 13A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3J355R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R,LF

भाग स्टक: 128788

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30.1 mOhm @ 4A, 4.5V,

इच्छा सुची
TPCA8007-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8007-H(TE12L,Q

भाग स्टक: 9600

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
SSM6J512NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

भाग स्टक: 193227

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 8V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.2 mOhm @ 4A, 8V,

इच्छा सुची
SSM3K09FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU,LF

भाग स्टक: 126797

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 400mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V,

इच्छा सुची
SSM3J134TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU,LF

भाग स्टक: 16272

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा सुची
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

भाग स्टक: 195443

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 4.7A, 10V,

इच्छा सुची
TPCF8107,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8107,LF

भाग स्टक: 69123

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J501NU,LF

भाग स्टक: 176891

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

इच्छा सुची
SSM3H137TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3H137TU,LF

भाग स्टक: 16238

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 34V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

इच्छा सुची
TPCA8008-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

भाग स्टक: 9581

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3K72CFS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CFS,LF

भाग स्टक: 138628

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

इच्छा सुची
SSM3J129TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J129TU(TE85L)

भाग स्टक: 6003

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

इच्छा सुची
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8005-H(TE12LQM

भाग स्टक: 9435

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 26A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3K17SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K17SU,LF

भाग स्टक: 5947

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

इच्छा सुची
TPCA8025(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8025(TE12L,Q,M

भाग स्टक: 9392

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 40A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
TPCA8021-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8021-H(TE12LQM

भाग स्टक: 9362

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 27A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा सुची
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

भाग स्टक: 9242

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3J108TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J108TU(TE85L)

भाग स्टक: 9444

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 158 mOhm @ 800mA, 4V,

इच्छा सुची
TPCC8002-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12L,Q

भाग स्टक: 8783

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 22A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा सुची
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

भाग स्टक: 119339

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 80A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.3 mOhm @ 40A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3K56FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56FS,LF

भाग स्टक: 100620

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 800mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

इच्छा सुची
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31A60W,S4VX

भाग स्टक: 10937

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

इच्छा सुची
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R303NL,L1Q

भाग स्टक: 185384

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

भाग स्टक: 60875

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 60A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15F,LF

भाग स्टक: 25861

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

इच्छा सुची
SSM3K44FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K44FS,LF

भाग स्टक: 25853

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

इच्छा सुची
TK31J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W5,S1VQ

भाग स्टक: 9256

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

इच्छा सुची
TPH6400ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6400ENH,L1Q

भाग स्टक: 101081

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 64 mOhm @ 6.5A, 10V,

इच्छा सुची
TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

भाग स्टक: 98527

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V,

इच्छा सुची
SSM3K59CTB,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

भाग स्टक: 173472

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 8V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 215 mOhm @ 1A, 8V,

इच्छा सुची
SSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

भाग स्टक: 115248

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा सुची
SSM3K16CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CTC,L3F

भाग स्टक: 21536

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा सुची
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W,S1VF

भाग स्टक: 14097

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची