ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 21

2SK3566(STA4,Q,M)

भाग स्टक: 385

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ168TE85LF

भाग स्टक: 341

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ305TE85LF

भाग स्टक: 422

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 50mA, 2.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2009TE85LF

भाग स्टक: 425

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 50MA, 2.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3564(STA4,Q,M)

भाग स्टक: 36814

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3670,F(M

भाग स्टक: 2132

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3670,F(J

भाग स्टक: 2216

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3670(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 2161

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3670(T6CANO,A,F

भाग स्टक: 2130

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989,T6F(J

भाग स्टक: 2179

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(TPE6,F,M)

भाग स्टक: 2201

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 2219

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(T6CANO,A,F

भाग स्टक: 2169

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962,T6WNLF(M

भाग स्टक: 2138

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962,T6WNLF(J

भाग स्टक: 6215

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962,T6F(M

भाग स्टक: 2169

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962,T6F(J

भाग स्टक: 2183

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962(TE6,F,M)

भाग स्टक: 2198

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962,F(J

भाग स्टक: 2201

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 2178

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2962(T6CANO,A,F

भाग स्टक: 2217

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438,Q(J

भाग स्टक: 6290

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438,Q(M

भाग स्टक: 2142

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438,MDKQ(M

भाग स्टक: 2148

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438,MDKQ(J

भाग स्टक: 6253

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438(CANO,A,Q)

भाग स्टक: 2179

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438(CANO,Q,M)

भाग स्टक: 6267

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ438(AISIN,Q,M)

भाग स्टक: 2148

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2SJ438(AISIN,A,Q)

भाग स्टक: 2215

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2034TE85LF

भाग स्टक: 2095

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2035(T5L,F,T)

भाग स्टक: 1665

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK1829TE85LF

भाग स्टक: 1614

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(TE24L,Q)

भाग स्टक: 1621

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 450V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2967(F)

भाग स्टक: 6205

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4021(Q)

भाग स्टक: 783

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

भाग स्टक: 100330

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,

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