ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

ALD114835PCL

भाग स्टक: 21080

FET प्रकार: 4 N-Channel, Matched Pair, FET फिचर: Depletion Mode, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12mA, 3mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.45V @ 1µA,

ALD114804PCL

भाग स्टक: 23866

FET प्रकार: 4 N-Channel, Matched Pair, FET फिचर: Depletion Mode, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12mA, 3mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 360mV @ 1µA,

ALD1110EPAL

भाग स्टक: 20563

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.01V @ 1µA,

ALD210800PCL

भाग स्टक: 22423

FET प्रकार: 4 N-Channel, Matched Pair, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 80mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 20mV @ 10µA,

ALD212900SAL

भाग स्टक: 29389

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 80mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 20mV @ 20µA,

ALD1102SAL

भाग स्टक: 18848

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 10µA,

ALD310704APCL

भाग स्टक: 13531

FET प्रकार: 4 P-Channel, Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 380mV @ 1µA,

ALD110904PAL

भाग स्टक: 22024

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12mA, 3mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 420mV @ 1µA,

ALD110904SAL

भाग स्टक: 21998

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12mA, 3mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 420mV @ 1µA,

ALD110808APCL

भाग स्टक: 15203

FET प्रकार: 4 N-Channel, Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12mA, 3mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 810mV @ 1µA,

ALD110900PAL

भाग स्टक: 21972

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 10.6V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 20mV @ 1µA,

APTMC120TAM33CTPAG

भाग स्टक: 107

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 78A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 3mA (Typ),

APTM50H14FT3G

भाग स्टक: 1149

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 26A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

APTMC120AM25CT3AG

भाग स्टक: 283

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 113A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 4mA (Typ),

APTSM120AM08CT6AG

भाग स्टक: 144

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 370A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 10mA,

APTSM120TAM33CTPAG

भाग स्टक: 177

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 112A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 3mA,

APTSM120AM09CD3AG

भाग स्टक: 195

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 337A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 9mA,

APTSM120AM14CD3AG

भाग स्टक: 248

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 337A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 9mA,

APTSM120AM55CT1AG

भाग स्टक: 589

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 74A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 2mA,

APTSM120AM25CT3AG

भाग स्टक: 290

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 148A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 4mA,

APTMC120AM08CD3AG

भाग स्टक: 68

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 250A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 10mA (Typ),

APTM50HM65FT3G

भाग स्टक: 692

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

APTM50AM38STG

भाग स्टक: 559

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

AO4828

भाग स्टक: 197

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AOE6936

भाग स्टक: 241

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

भाग स्टक: 168294

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

AON4803

भाग स्टक: 144807

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

AO8810

भाग स्टक: 162690

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

AON6996

भाग स्टक: 180862

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 50A, 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

AON6850

भाग स्टक: 99071

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

AO4614A

भाग स्टक: 181100

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AO6602L

भाग स्टक: 108988

FET प्रकार: N and P-Channel Complementary, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

AOC3868

भाग स्टक: 244

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Standard, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

भाग स्टक: 231

AO8822

भाग स्टक: 186647

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

AO6800

भाग स्टक: 191185

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,