ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

घर
उत्पादन कोटी
असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू
ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

भाग स्टक: 400

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 495A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

APTM10DSKM09T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

भाग स्टक: 1457

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

भाग स्टक: 1133

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

APTML602U12R020T3AG

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

भाग स्टक: 485

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 45A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

भाग स्टक: 1289

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

भाग स्टक: 748

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 104A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

भाग स्टक: 856

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 175A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

भाग स्टक: 162

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 295A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 40mA (Typ),

ईच्छाको लागि

APTC60DDAM70T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

भाग स्टक: 2258

FET प्रकार: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

भाग स्टक: 1478

FET प्रकार: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

भाग स्टक: 558

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

APTM100DSK35T3G

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

भाग स्टक: 1267

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

भाग स्टक: 1093

FET प्रकार: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

भाग स्टक: 1492

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 19A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

भाग स्टक: 809

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 46A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

भाग स्टक: 757

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

भाग स्टक: 379

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 78A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20DUM05G

भाग स्टक: 536

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 317A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

भाग स्टक: 731

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

भाग स्टक: 766

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 99A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

भाग स्टक: 767

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

भाग स्टक: 533

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

भाग स्टक: 1743

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

भाग स्टक: 448

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 99A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

भाग स्टक: 2026

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

भाग स्टक: 1204

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

भाग स्टक: 712

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

भाग स्टक: 306

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 147A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 30mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

भाग स्टक: 1671

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 37A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

भाग स्टक: 461

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

भाग स्टक: 396

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

भाग स्टक: 936

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

भाग स्टक: 423

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

भाग स्टक: 488

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 495A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 10mA,

ईच्छाको लागि

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

भाग स्टक: 196

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V (1.7kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

ईच्छाको लागि

APTC60VDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

भाग स्टक: 1797

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

ईच्छाको लागि

3600

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»