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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

IRF7389TR
Infineon Technologies

IRF7389TR

भाग स्टक: 2636

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
IRF7754TR
Infineon Technologies

IRF7754TR

भाग स्टक: 2696

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि
IRF7751
Infineon Technologies

IRF7751

भाग स्टक: 2659

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
IRF7750GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7750GTRPBF

भाग स्टक: 2784

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
IRF7314QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7314QTRPBF

भाग स्टक: 2754

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि
NTLJD4116NT1G
ON Semiconductor

NTLJD4116NT1G

भाग स्टक: 2763

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
FDS6894A
ON Semiconductor

FDS6894A

भाग स्टक: 2729

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
ECH8664R-TL-H
ON Semiconductor

ECH8664R-TL-H

भाग स्टक: 2888

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
FDW2504P
ON Semiconductor

FDW2504P

भाग स्टक: 2772

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
NTLJD3115PTAG
ON Semiconductor

NTLJD3115PTAG

भाग स्टक: 2743

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
NTLUD3191PZTAG
ON Semiconductor

NTLUD3191PZTAG

भाग स्टक: 2777

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SIA950DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA950DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2859

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 190V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 950mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI7224DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-E3

भाग स्टक: 139900

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI1563DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-GE3

भाग स्टक: 2825

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.13A, 880mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

ईच्छाको लागि
SI4569DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4569DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2878

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, 7.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI6969DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 3349

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि
SIZ916DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ916DT-T1-GE3

भाग स्टक: 88099

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A, 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI7960DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-E3

भाग स्टक: 2783

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI4501ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4501ADY-T1-E3

भाग स्टक: 2738

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.3A, 4.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI3993DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-GE3

भाग स्टक: 199624

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI6926ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6926ADQ-T1-GE3

भाग स्टक: 195139

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI5915BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-GE3

भाग स्टक: 2892

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI4916DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4916DY-T1-GE3

भाग स्टक: 93093

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A, 10.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI6928DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6928DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 3373

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
SI4933DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-E3

भाग स्टक: 3359

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 500µA,

ईच्छाको लागि
SI6925ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2797

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
ZXMD63C03XTC
Diodes Incorporated

ZXMD63C03XTC

भाग स्टक: 2695

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि
STS4DNF60
STMicroelectronics

STS4DNF60

भाग स्टक: 2663

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि
UPA2379T1P-E1-A
Renesas Electronics America

UPA2379T1P-E1-A

भाग स्टक: 102853

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ईच्छाको लागि
VWM350-0075P
IXYS

VWM350-0075P

भाग स्टक: 2759

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 340A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.3 mOhm @ 250A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2mA,

ईच्छाको लागि
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

भाग स्टक: 76064

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 45V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
MP6M14TCR
Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

भाग स्टक: 2917

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 4V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
SP8J1FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

भाग स्टक: 98693

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
SP8M9TB
Rohm Semiconductor

SP8M9TB

भाग स्टक: 2650

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A, 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.

PMWD16UN,518

भाग स्टक: 2709

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 1mA,

ईच्छाको लागि
PMGD370XN,115
Nexperia USA Inc.

PMGD370XN,115

भाग स्टक: 2664

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 740mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि