ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

SI6955ADQ-T1-E3

भाग स्टक: 2891

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI4834CDY-T1-E3

भाग स्टक: 135916

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI4230DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2831

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI7216DN-T1-E3

भाग स्टक: 113570

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI1034X-T1-E3

भाग स्टक: 2786

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-E3

भाग स्टक: 2773

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.4A, 960mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI7222DN-T1-GE3

भाग स्टक: 2787

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-E3

भाग स्टक: 2830

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 2858

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.6A, 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

भाग स्टक: 139446

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

SP8M6TB

भाग स्टक: 2678

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

SP8J4TB

भाग स्टक: 2713

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF8915TR

भाग स्टक: 2721

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7380PBF

भाग स्टक: 76115

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7501TR

भाग स्टक: 2653

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7325PBF

भाग स्टक: 2703

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7306PBF

भाग स्टक: 89560

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA1

भाग स्टक: 2968

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 20µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NTHC5513T1

भाग स्टक: 2668

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, 2.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NDS9943

भाग स्टक: 2643

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, 2.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FDS6961A_F011

भाग स्टक: 2716

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FDSS2407

भाग स्टक: 105427

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 62V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MVDF1N05ER2G

भाग स्टक: 2912

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MMDF1N05ER2G

भाग स्टक: 2931

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FDW2503NZ

भाग स्टक: 2736

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NTZD3154NT2G

भाग स्टक: 2755

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 540mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FDS4935

भाग स्टक: 2757

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FD6M045N06

भाग स्टक: 2803

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

ZXMD65P02N8TC

भाग स्टक: 2713

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

ZXMD63P02XTC

भाग स्टक: 2747

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

ZDM4206NTC

भाग स्टक: 2742

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-7

भाग स्टक: 163902

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 350mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Renesas Electronics America

UPA2373T1P-E4-A

भाग स्टक: 2961

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

भाग स्टक: 2756

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

ईच्छाको लागि

EPC

EPC2104

भाग स्टक: 24318

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5.5mA,

ईच्छाको लागि

IXYS

GWM220-004P3-SMD SAM

भाग स्टक: 2762

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180A, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

ईच्छाको लागि