ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

VEC2616-TL-W-Z

भाग स्टक: 199667

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 4V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 1mA,

NTHD3100CT3G

भाग स्टक: 2772

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, 3.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

NTZD3156CT2G

भाग स्टक: 2761

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 540mA, 430mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

FDW2507N

भाग स्टक: 2689

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDW2501N

भाग स्टक: 2746

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDW2508PB

भाग स्टक: 2726

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDZ2554PZ

भाग स्टक: 2723

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

NDS8858H

भाग स्टक: 2706

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.3A, 4.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

NTZD3156CT5G

भाग स्टक: 2782

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 540mA, 430mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT3G

भाग स्टक: 166888

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

FDMS3604AS

भाग स्टक: 3375

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13A, 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

NTJD2152PT2G

भाग स्टक: 2773

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 775mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

EFC6602R-A-TR

भाग स्टक: 185435

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS3912

भाग स्टक: 2754

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

EFC6617R-A-TF

भाग स्टक: 135371

NTHD4401PT1G

भाग स्टक: 2836

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

SI4972DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2881

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.8A, 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

VQ1001P-E3

भाग स्टक: 2920

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 830mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

SI7958DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2819

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SI6933DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2892

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

SI4973DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2865

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SI7983DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2899

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 600µA,

SI1563EDH-T1-E3

भाग स्टक: 2699

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.13A, 880mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

SI1539DL-T1-E3

भाग स्टक: 2765

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 540mA, 420mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 250µA,

SI7844DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2794

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-E3

भाग स्टक: 2783

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

SI5906DU-T1-GE3

भाग स्टक: 2915

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

IRF7379TR

भाग स्टक: 2676

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

IRF8910GTRPBF

भाग स्टक: 2869

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.55V @ 250µA,

IRFHM792TR2PBF

भाग स्टक: 2894

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 10µA,

IRF7103PBF

भाग स्टक: 97659

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

HAT2092R-EL-E

भाग स्टक: 2741

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

TPC8211(TE12L,Q,M)

भाग स्टक: 2801

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

TPC8213-H(TE12LQ,M

भाग स्टक: 2813

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

DMC6070LFDH-7

भाग स्टक: 2890

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, 2.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

UP04979G0L

भाग स्टक: 2769

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1µA,