ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

FDS9933A

भाग स्टक: 190178

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDC6506P

भाग स्टक: 194858

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NVMFD5483NLT1G

भाग स्टक: 65498

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDC6305N

भाग स्टक: 129016

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NTUD3129PT5G

भाग स्टक: 2940

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 140mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NVMFD5875NLT1G

भाग स्टक: 155747

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDMS3668S

भाग स्टक: 82251

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13A, 18A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

भाग स्टक: 277

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 20µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

भाग स्टक: 3093

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5.55V @ 40mA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

भाग स्टक: 3004

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.35V @ 25µA,

ईच्छाको लागि

TSM6968SDCA RVG

भाग स्टक: 9997

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.5A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMN2016LHAB-7

भाग स्टक: 190312

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMG1016VQ-13

भाग स्टक: 163191

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 870mA, 640mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMC1030UFDB-13

भाग स्टक: 115059

FET प्रकार: N and P-Channel Complementary, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMN2029USD-13

भाग स्टक: 136935

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ZXMHC6A07T8TA

भाग स्टक: 83548

FET प्रकार: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.6A, 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SH8M41TB1

भाग स्टक: 127833

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

QH8KA4TCR

भाग स्टक: 78816

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

TT8J21TR

भाग स्टक: 169061

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

SH8J66TB1

भाग स्टक: 75609

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

SI3590DV-T1-GE3

भाग स्टक: 199636

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, 1.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7998DP-T1-GE3

भाग स्टक: 103462

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, 30A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SIA915DJ-T4-GE3

भाग स्टक: 2966

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SIZ322DT-T1-GE3

भाग स्टक: 266

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI5944DU-T1-GE3

भाग स्टक: 2992

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि