डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

MBRS1590CTHMNG

भाग स्टक: 163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640 C0G

भाग स्टक: 143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CTHMNG

भाग स्टक: 156

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CT C0G

भाग स्टक: 127

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008GA C0G

भाग स्टक: 143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1660CT C0G

भाग स्टक: 81

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CTHC0G

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100 C0G

भाग स्टक: 146

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1608G C0G

भाग स्टक: 150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CTHMNG

भाग स्टक: 137

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PTHC0G

भाग स्टक: 109

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605HC0G

भाग स्टक: 150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CTHC0G

भाग स्टक: 74

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1601PT C0G

भाग स्टक: 135

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1640 MNG

भाग स्टक: 131

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660 C0G

भाग स्टक: 97

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1005GHC0G

भाग स्टक: 125

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150HMNG

भाग स्टक: 144

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1640CT C0G

भाग स्टक: 97

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630 C0G

भाग स्टक: 147

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CT C0G

भाग स्टक: 148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CTHC0G

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1007HC0G

भाग स्टक: 86

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CT C0G

भाग स्टक: 66

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100CTHC0G

भाग स्टक: 145

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/86A

भाग स्टक: 172973

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTLHM3

भाग स्टक: 72567

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40060(A)

भाग स्टक: 1225

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)

भाग स्टक: 1358

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

भाग स्टक: 1332

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Micro Commercial Co

MD120A16D1-BP

भाग स्टक: 2476

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

भाग स्टक: 125

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBT-54A-G

भाग स्टक: 127135

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBD2040-HF

भाग स्टक: 111207

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBT-70S-G

भाग स्टक: 135361

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MBRF30H100CTG

भाग स्टक: 61073

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि