डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

RB088NS100FHTL

भाग स्टक: 75

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 870mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

UMR12NTN

भाग स्टक: 104990

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

भाग स्टक: 112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

भाग स्टक: 86

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

भाग स्टक: 173

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

भाग स्टक: 90

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

भाग स्टक: 82

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

भाग स्टक: 114

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

भाग स्टक: 85

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

भाग स्टक: 168

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

भाग स्टक: 126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

भाग स्टक: 113

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

भाग स्टक: 163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

भाग स्टक: 83

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

भाग स्टक: 125

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

भाग स्टक: 93

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

भाग स्टक: 152

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

भाग स्टक: 123

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

FST30100

भाग स्टक: 15979

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

भाग स्टक: 67559

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

भाग स्टक: 72578

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

भाग स्टक: 86952

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

भाग स्टक: 52467

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

भाग स्टक: 49342

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

भाग स्टक: 72585

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

भाग स्टक: 15163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

भाग स्टक: 113089

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

MBR2050CT-G

भाग स्टक: 114599

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBT-40S-G

भाग स्टक: 190055

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBD2040-G

भाग स्टक: 111181

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

भाग स्टक: 78

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

भाग स्टक: 99761

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

भाग स्टक: 151

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

भाग स्टक: 111

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

भाग स्टक: 99

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

भाग स्टक: 108903

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि