डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

SRS1630HMNG

भाग स्टक: 84

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1602 C0G

भाग स्टक: 115

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2040 C0G

भाग स्टक: 132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1006HC0G

भाग स्टक: 128

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1040 C0G

भाग स्टक: 141

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CTHMNG

भाग स्टक: 129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1620CTHC0G

भाग स्टक: 115

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1607PT C0G

भाग स्टक: 81

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CT MNG

भाग स्टक: 134

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4060PT C0G

भाग स्टक: 141

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CT C0G

भाग स्टक: 130

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CT C0G

भाग स्टक: 128

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050PT C0G

भाग स्टक: 168

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630PT C0G

भाग स्टक: 115

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1690HC0G

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1045CT C0G

भाग स्टक: 84

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

STMicroelectronics

STTH30R03CG-TR

भाग स्टक: 39559

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

STMicroelectronics

STTH16L06CG-TR

भाग स्टक: 65535

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD660CT-M3

भाग स्टक: 183524

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH02-M3/87A

भाग स्टक: 192637

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CT-M3

भाग स्टक: 93355

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035STRL-M3

भाग स्टक: 89708

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8KM60DU-M3/I

भाग स्टक: 190676

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P5C-M3/87A

भाग स्टक: 145759

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CHM3_A/H

भाग स्टक: 176174

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045STRL-M3

भाग स्टक: 71588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FN-M3

भाग स्टक: 140136

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/86A

भाग स्टक: 158835

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

CDBD2060-G

भाग स्टक: 111198

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

भाग स्टक: 83376

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

RB228NS100FHTL

भाग स्टक: 129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 870mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

DB4J310K0R

भाग स्टक: 129661

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

DB3S314J0L

भाग स्टक: 140424

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

DA37103E0L

भाग स्टक: 164580

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Sanken

FMXA-2102ST

भाग स्टक: 118954

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

भाग स्टक: 1845

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि