डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

APT2X101S20J

भाग स्टक: 2725

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

भाग स्टक: 20940

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

भाग स्टक: 1426

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

भाग स्टक: 11515

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

भाग स्टक: 1510

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

भाग स्टक: 4471

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

भाग स्टक: 4419

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

भाग स्टक: 7652

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 17A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

भाग स्टक: 647

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

भाग स्टक: 910

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 40A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

भाग स्टक: 4083

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 40A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

भाग स्टक: 4104

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

भाग स्टक: 4162

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

भाग स्टक: 1523

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

भाग स्टक: 4122

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 90A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 90A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

भाग स्टक: 3952

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

भाग स्टक: 2369

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

भाग स्टक: 952

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 40A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

भाग स्टक: 777

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

भाग स्टक: 3868

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

भाग स्टक: 3871

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

भाग स्टक: 3895

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

भाग स्टक: 3885

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

भाग स्टक: 4438

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

भाग स्टक: 3858

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

भाग स्टक: 6132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

भाग स्टक: 3860

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

भाग स्टक: 4074

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

भाग स्टक: 3544

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

भाग स्टक: 3886

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

भाग स्टक: 4128

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

भाग स्टक: 4064

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

भाग स्टक: 3857

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

भाग स्टक: 2926

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

भाग स्टक: 143494

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

भाग स्टक: 4514

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि