डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

APTDF400AA20G

भाग स्टक: 1188

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

भाग स्टक: 1141

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.7V @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

भाग स्टक: 3273

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

भाग स्टक: 650

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

भाग स्टक: 8242

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X100D60J

भाग स्टक: 2784

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

भाग स्टक: 3554

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

भाग स्टक: 9938

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

भाग स्टक: 5486

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X61S20J

भाग स्टक: 3006

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

भाग स्टक: 6600

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X30D120J

भाग स्टक: 2852

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

भाग स्टक: 2889

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

भाग स्टक: 2486

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X61D60J

भाग स्टक: 3296

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

भाग स्टक: 16694

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

भाग स्टक: 9481

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

भाग स्टक: 14431

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X101D20J

भाग स्टक: 2724

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

भाग स्टक: 17077

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

भाग स्टक: 553

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

भाग स्टक: 9782

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X101D60J

भाग स्टक: 2721

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

भाग स्टक: 10815

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X101D40J

भाग स्टक: 2756

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

भाग स्टक: 10044

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.4V @ 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X31S20J

भाग स्टक: 3575

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 45A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

भाग स्टक: 9826

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 27A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X61D100J

भाग स्टक: 2817

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

भाग स्टक: 1099

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

भाग स्टक: 1122

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

भाग स्टक: 9889

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 27A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

भाग स्टक: 1272

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

भाग स्टक: 1054

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 40A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

भाग स्टक: 1723

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

भाग स्टक: 1813

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि