Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

भाग स्टक: 3642

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

भाग स्टक: 3654

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

भाग स्टक: 3668

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

भाग स्टक: 3686

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

भाग स्टक: 3599

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

भाग स्टक: 3616

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

भाग स्टक: 3587

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

भाग स्टक: 3557

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

भाग स्टक: 3588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

भाग स्टक: 3592

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

भाग स्टक: 10437

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

भाग स्टक: 532

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 480A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

भाग स्टक: 3175

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 28A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

भाग स्टक: 3498

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

भाग स्टक: 3829

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

भाग स्टक: 3118

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

भाग स्टक: 2748

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

भाग स्टक: 1164

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

भाग स्टक: 3356

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

भाग स्टक: 3407

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

भाग स्टक: 2782

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

भाग स्टक: 739

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

ईच्छाको लागि
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

भाग स्टक: 842

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

भाग स्टक: 2286

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

भाग स्टक: 179

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

भाग स्टक: 3191

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 28A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

भाग स्टक: 2464

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 53A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

भाग स्टक: 2442

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 53A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

भाग स्टक: 3266

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

भाग स्टक: 3220

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.1V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

भाग स्टक: 1994

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 93A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

भाग स्टक: 2375

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

भाग स्टक: 2278

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

भाग स्टक: 14745

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

भाग स्टक: 114940

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

भाग स्टक: 123192

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि