डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 3

C3D10065I

भाग स्टक: 13617

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 19A (DC), गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D08060G

भाग स्टक: 19066

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 24A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D08060A

भाग स्टक: 19023

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 24A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C4D10120A

भाग स्टक: 6587

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 33A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C4D20120A

भाग स्टक: 3285

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 54.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD10060G

भाग स्टक: 1175

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C4D02120E-TR

भाग स्टक: 51886

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD08060A

भाग स्टक: 754

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C5D50065D

भाग स्टक: 2894

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D06065I

भाग स्टक: 22829

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 13A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD06060A

भाग स्टक: 519

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D08065E

भाग स्टक: 17754

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD02060A

भाग स्टक: 507

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D03060F

भाग स्टक: 50210

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 3A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD02060G

भाग स्टक: 550

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD04060E

भाग स्टक: 504

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 4A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C4D05120A

भाग स्टक: 13070

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 19A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 5A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D02060F

भाग स्टक: 76324

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD10060A

भाग स्टक: 460

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD06060G

भाग स्टक: 526

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D06065E

भाग स्टक: 23677

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C2D10120A

भाग स्टक: 4593

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 31A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD04060A

भाग स्टक: 499

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 4A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD10030A

भाग स्टक: 455

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C4D08120E

भाग स्टक: 8705

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 24.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D04065E

भाग स्टक: 35976

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 13.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 4A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D04060A

भाग स्टक: 37836

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 13.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 4A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D10060A

भाग स्टक: 15214

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D02065E

भाग स्टक: 72572

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D03065E

भाग स्टक: 47573

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 11A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 3A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D02060A

भाग स्टक: 76361

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D10065E

भाग स्टक: 14218

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 32A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D06060G

भाग स्टक: 25347

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 19A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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C3D02060E

भाग स्टक: 76335

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CSD01060A

भाग स्टक: 71797

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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CPW2-1200-S010B

भाग स्टक: 9532

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 31A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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