ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 1

CAS300M17BM2

भाग स्टक: 115

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V (1.7kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 325A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 15mA (Typ),

इच्छा सुची

Cree/Wolfspeed

CAS300M12BM2

भाग स्टक: 138

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 423A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 15mA (Typ),

इच्छा सुची

Cree/Wolfspeed

CCS050M12CM2

भाग स्टक: 184

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 87A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 2.5mA,

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Cree/Wolfspeed

CCS020M12CM2

भाग स्टक: 413

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 29.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 1mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS120M12BM2

भाग स्टक: 257

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 193A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 6mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS325M12HM2

भाग स्टक: 70

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 444A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 105mA,

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Cree/Wolfspeed

CAS100H12AM1

भाग स्टक: 3335

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 168A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 50mA,

इच्छा सुची