ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

घर
ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

C2M1000170J-TR

भाग स्टक: 12544

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0065090J-TR

भाग स्टक: 6828

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0120100K

भाग स्टक: 8031

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0120090J-TR

भाग स्टक: 10635

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0030090K

भाग स्टक: 2469

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 63A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

इच्छा सुची

C2M0045170P

भाग स्टक: 2736

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

इच्छा सुची

E3M0120090D

भाग स्टक: 3307

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0280090J

भाग स्टक: 19166

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0075120K

भाग स्टक: 5595

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0120100J

भाग स्टक: 3965

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

भाग स्टक: 2177

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

इच्छा सुची

C2M0025120D

भाग स्टक: 1093

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0280090J-TR

भाग स्टक: 19172

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0065100J

भाग स्टक: 2848

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C2M0080170P

भाग स्टक: 2196

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

इच्छा सुची

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

भाग स्टक: 2236

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

इच्छा सुची

C2M0045170D

भाग स्टक: 866

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0280090D

भाग स्टक: 20168

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0075120J

भाग स्टक: 5794

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0065100K

भाग स्टक: 5808

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0120090J

भाग स्टक: 10579

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

CMF20120D

भाग स्टक: 976

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 42A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

इच्छा सुची

CMF10120D

भाग स्टक: 1120

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 24A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0120090D

भाग स्टक: 10936

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

इच्छा सुची

C2M0040120D

भाग स्टक: 2045

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

इच्छा सुची

C2M0160120D

भाग स्टक: 8382

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 19A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0065100J-TR

भाग स्टक: 93

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C2M1000170J

भाग स्टक: 12480

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

इच्छा सुची

C3M0075120J-TR

भाग स्टक: 280

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

E3M0065090D

भाग स्टक: 9953

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

E3M0280090D

भाग स्टक: 8442

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0065090D

भाग स्टक: 6981

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C3M0065090J

भाग स्टक: 6843

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

इच्छा सुची

C2M0280120D

भाग स्टक: 12900

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

इच्छा सुची

C2M1000170D

भाग स्टक: 13276

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

इच्छा सुची

C2M0080120D

भाग स्टक: 4209

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: SiCFET (Silicon Carbide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

इच्छा सुची

36