Thyristors - SCRs | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 21

VS-25TTS08FP-M3

भाग स्टक: 27190

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1

भाग स्टक: 321

भोल्टेज - अफ स्टेट: 2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1L

भाग स्टक: 570

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16-M3

भाग स्टक: 7354

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120MPBF

भाग स्टक: 776

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 120mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0P

भाग स्टक: 974

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P0V

भाग स्टक: 733

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.28V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 280A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 440A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C08L0

भाग स्टक: 602

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1PBF

भाग स्टक: 483

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0V

भाग स्टक: 705

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0

भाग स्टक: 627

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0L

भाग स्टक: 394

भोल्टेज - अफ स्टेट: 600V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.44V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 2310A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 4150A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1

भाग स्टक: 416

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1VPBF

भाग स्टक: 1228

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100PBF

भाग स्टक: 1106

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K0

भाग स्टक: 380

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 1473A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 2913A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L1

भाग स्टक: 621

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1

भाग स्टक: 843

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1

भाग स्टक: 637

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.4kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN0

भाग स्टक: 1083

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 370A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 690A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L1

भाग स्टक: 587

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120

भाग स्टक: 3842

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0LP

भाग स्टक: 398

भोल्टेज - अफ स्टेट: 2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFK0

भाग स्टक: 491

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0

भाग स्टक: 674

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L0

भाग स्टक: 480

भोल्टेज - अफ स्टेट: 2.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 790A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1557A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1L

भाग स्टक: 562

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.4kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0

भाग स्टक: 556

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.4kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0V

भाग स्टक: 874

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0

भाग स्टक: 984

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0VPBF

भाग स्टक: 1068

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120M

भाग स्टक: 783

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 120mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0P

भाग स्टक: 345

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P1PBF

भाग स्टक: 1084

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFN1

भाग स्टक: 852

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1L

भाग स्टक: 719

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा सुची