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Thyristors - SCRs

40TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12

भाग स्टक: 7524

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा सुची
70TPS16
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS16

भाग स्टक: 7632

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 70A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 75A,

इच्छा सुची
70TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS12

भाग स्टक: 7598

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 70A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 75A,

इच्छा सुची
VS-ST330S08P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0

भाग स्टक: 466

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा सुची
VS-ST110S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16M1

भाग स्टक: 751

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची
VS-10RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA20

भाग स्टक: 8870

भोल्टेज - अफ स्टेट: 200V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-ST1230C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0

भाग स्टक: 253

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा सुची
VS-2N687
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N687

भाग स्टक: 8718

भोल्टेज - अफ स्टेट: 300V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-2N5207
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5207

भाग स्टक: 4744

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.3V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-10RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120

भाग स्टक: 5163

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-ST230S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16P0PBF

भाग स्टक: 816

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.6kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा सुची
VS-10RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA60

भाग स्टक: 6932

भोल्टेज - अफ स्टेट: 600V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-ST330C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C0L

भाग स्टक: 751

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.4kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा सुची
VS-ST110S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0

भाग स्टक: 791

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.4kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची
VS-2N689
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N689

भाग स्टक: 8208

भोल्टेज - अफ स्टेट: 500V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-25RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100

भाग स्टक: 4921

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा सुची
VS-25RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80

भाग स्टक: 5310

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा सुची
VS-2N686
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N686

भाग स्टक: 8703

भोल्टेज - अफ स्टेट: 250V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-2N683
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N683

भाग स्टक: 8778

भोल्टेज - अफ स्टेट: 100V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
VS-16RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80

भाग स्टक: 4544

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-25RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80M

भाग स्टक: 4542

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा सुची
VS-22RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40M

भाग स्टक: 4593

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-ST103S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1

भाग स्टक: 851

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 105A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 165A,

इच्छा सुची
VS-16RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120MS90

भाग स्टक: 4592

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-22RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100

भाग स्टक: 5769

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-16RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20M

भाग स्टक: 4528

भोल्टेज - अफ स्टेट: 200V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-22RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120M

भाग स्टक: 4586

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-ST230S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P0VPBF

भाग स्टक: 780

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा सुची
VS-22RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100M

भाग स्टक: 4570

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-22RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40

भाग स्टक: 6627

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-180RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80PBF

भाग स्टक: 1337

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा सुची
VS-ST103S08PFN2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2

भाग स्टक: 830

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 105A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 165A,

इच्छा सुची
VS-25RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120MS90

भाग स्टक: 4585

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा सुची
VS-22RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60M

भाग स्टक: 4575

भोल्टेज - अफ स्टेट: 600V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-16RIA10M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10M

भाग स्टक: 4619

भोल्टेज - अफ स्टेट: 100V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
VS-ST110S12P2V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2V

भाग स्टक: 863

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 3V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा सुची