डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

घर
डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-G3-08

भाग स्टक: 167139

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-E3-08

भाग स्टक: 160811

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-18

भाग स्टक: 163565

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-E3-18

भाग स्टक: 125704

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-E3-18

भाग स्टक: 106624

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 250mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-G3-18

भाग स्टक: 118556

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-E3-18

भाग स्टक: 184303

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-G3-18

भाग स्टक: 196413

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-18

भाग स्टक: 106096

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-18

भाग स्टक: 197768

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-G3-08

भाग स्टक: 177821

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-G3-08

भाग स्टक: 161218

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-HE3-08

भाग स्टक: 110156

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-E3-08

भाग स्टक: 157243

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-08

भाग स्टक: 118508

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-08

भाग स्टक: 141479

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-HE3-18

भाग स्टक: 193437

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-HE3-08

भाग स्टक: 151088

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-18

भाग स्टक: 146338

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-HE3-18

भाग स्टक: 140611

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-18

भाग स्टक: 188376

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-08

भाग स्टक: 173771

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-18

भाग स्टक: 151625

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-08

भाग स्टक: 131183

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-18

भाग स्टक: 166917

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-G3-18

भाग स्टक: 114008

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-18

भाग स्टक: 182111

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-18

भाग स्टक: 149177

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-18

भाग स्टक: 104256

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-18

भाग स्टक: 110099

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-HE3-18

भाग स्टक: 111797

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-08

भाग स्टक: 118111

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-HE3-08

भाग स्टक: 177489

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-18

भाग स्टक: 106073

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 250mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-G3-08

भाग स्टक: 101670

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-G3-18

भाग स्टक: 270

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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