डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

BYG10Y-E3/TR3

भाग स्टक: 119874

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/H

भाग स्टक: 198448

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/I

भाग स्टक: 152155

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR3

भाग स्टक: 158166

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-18

भाग स्टक: 197367

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-08

भाग स्टक: 194835

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-18

भाग स्टक: 113942

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-08

भाग स्टक: 120561

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-18

भाग स्टक: 114352

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-08

भाग स्टक: 158404

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-18

भाग स्टक: 129535

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 250mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-18

भाग स्टक: 111296

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-18

भाग स्टक: 199754

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-08

भाग स्टक: 117566

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-18

भाग स्टक: 138262

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-18

भाग स्टक: 325

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-08

भाग स्टक: 139086

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-18

भाग स्टक: 148789

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-18

भाग स्टक: 107239

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-18

भाग स्टक: 140508

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-08

भाग स्टक: 148285

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-08

भाग स्टक: 133467

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 250mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-18

भाग स्टक: 128129

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-18

भाग स्टक: 115332

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-18

भाग स्टक: 155536

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-18

भाग स्टक: 174272

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-18

भाग स्टक: 190986

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-18

भाग स्टक: 132335

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-18

भाग स्टक: 163202

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-08

भाग स्टक: 163559

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-08

भाग स्टक: 185224

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-08

भाग स्टक: 141866

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-18

भाग स्टक: 146436

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-18

भाग स्टक: 197062

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-08

भाग स्टक: 176953

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-08

भाग स्टक: 367

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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