डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

घर
डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

भाग स्टक: 186584

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 962mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

भाग स्टक: 187999

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

भाग स्टक: 135245

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

भाग स्टक: 127822

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 962mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

भाग स्टक: 174356

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

भाग स्टक: 177979

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

भाग स्टक: 109158

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

भाग स्टक: 184562

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

भाग स्टक: 177979

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

भाग स्टक: 186864

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

भाग स्टक: 148380

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 962mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

भाग स्टक: 128798

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

भाग स्टक: 155636

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

भाग स्टक: 186827

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

भाग स्टक: 121577

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

भाग स्टक: 122155

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

भाग स्टक: 128015

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

भाग स्टक: 166052

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

भाग स्टक: 159290

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

भाग स्टक: 121580

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

भाग स्टक: 165935

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

भाग स्टक: 182163

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

भाग स्टक: 174379

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

भाग स्टक: 135168

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

भाग स्टक: 184511

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

भाग स्टक: 186833

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

भाग स्टक: 128841

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

भाग स्टक: 135251

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

भाग स्टक: 121540

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

भाग स्टक: 102068

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

भाग स्टक: 187986

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

भाग स्टक: 122741

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

भाग स्टक: 166073

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

भाग स्टक: 122789

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

भाग स्टक: 142597

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

भाग स्टक: 147505

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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