डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

घर
डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PMHM3/84A

भाग स्टक: 130871

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PK-M3/84A

भाग स्टक: 160463

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PDHM3/84A

भाग स्टक: 173415

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJHM3/85A

भाग स्टक: 165680

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJHM3/84A

भाग स्टक: 179650

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJ-M3/85A

भाग स्टक: 178057

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PK-M3/84A

भाग स्टक: 118387

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PDHM3/85A

भाग स्टक: 117693

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PM-M3/85A

भाग स्टक: 104817

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PGHM3/85A

भाग स्टक: 161647

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PG-M3/85A

भाग स्टक: 158491

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PK-M3/85A

भाग स्टक: 166127

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJHM3/84A

भाग स्टक: 141434

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PMHM3/85A

भाग स्टक: 146010

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PMHM3/84A

भाग स्टक: 198788

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PGHM3/85A

भाग स्टक: 176541

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PD-M3/85A

भाग स्टक: 146048

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/I

भाग स्टक: 127616

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/87A

भाग स्टक: 165269

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/87A

भाग स्टक: 197402

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJHM3_A/I

भाग स्टक: 135205

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/H

भाग स्टक: 177960

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJ-M3/87A

भाग स्टक: 163634

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 962mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/I

भाग स्टक: 135158

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PK-M3/86A

भाग स्टक: 171421

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/86A

भाग स्टक: 111920

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/86A

भाग स्टक: 178864

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/87A

भाग स्टक: 147236

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3_A/I

भाग स्टक: 174392

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PK-M3/87A

भाग स्टक: 170922

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJHM3_A/H

भाग स्टक: 128776

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/I

भाग स्टक: 174403

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 120ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/H

भाग स्टक: 177918

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PD-M3/87A

भाग स्टक: 195288

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3_A/H

भाग स्टक: 166104

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 140ns,

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PG-M3/87A

भाग स्टक: 122027

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.2µs,

इच्छा सुची

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