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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

भाग स्टक: 87641

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS8P6C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

भाग स्टक: 156747

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

भाग स्टक: 81352

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40L40CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

भाग स्टक: 11518

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS8P3C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

भाग स्टक: 190422

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V10KM120DU-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

भाग स्टक: 164483

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

भाग स्टक: 156818

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2080CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

भाग स्टक: 87595

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

भाग स्टक: 123071

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045HN3

भाग स्टक: 69836

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRHM3

भाग स्टक: 62726

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CT-1-M3

भाग स्टक: 91755

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-47CTQ020STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020STRL-M3

भाग स्टक: 56475

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR2545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2545CT-1-M3

भाग स्टक: 92087

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-16CTQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRRHM3

भाग स्टक: 75235

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CL-M3/87A

भाग स्टक: 138730

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD660CT-M3

भाग स्टक: 183524

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH02-M3/87A

भाग स्टक: 192637

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CT-M3

भाग स्टक: 93355

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035STRL-M3

भाग स्टक: 89708

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V8KM60DU-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8KM60DU-M3/I

भाग स्टक: 190676

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS8P5C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P5C-M3/87A

भाग स्टक: 145759

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P3CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CHM3_A/H

भाग स्टक: 176174

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-25CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045STRL-M3

भाग स्टक: 71588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FN-M3

भाग स्टक: 140136

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/86A

भाग स्टक: 158835

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-4CSH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02HM3/87A

भाग स्टक: 149715

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRRHM3

भाग स्टक: 62699

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FN-M3

भाग स्टक: 195911

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2560CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2560CT/45

भाग स्टक: 70124

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P2CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CLHM3_A/H

भाग स्टक: 176123

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-8CSH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01HM3/87A

भाग स्टक: 103157

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTR-M3

भाग स्टक: 187431

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-32CTQ025STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRRHM3

भाग स्टक: 52424

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/87A

भाग स्टक: 143729

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-8CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01-M3/87A

भाग स्टक: 102185

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची