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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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V40PW45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW45C-M3/I

भाग स्टक: 118661

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VI40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40150C-E3/4W

भाग स्टक: 54776

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT10202C-M3/4W

भाग स्टक: 106031

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VI20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100C-E3/4W

भाग स्टक: 74640

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VI20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20120C-E3/4W

भाग स्टक: 74208

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40PWM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PWM45CHM3/I

भाग स्टक: 110489

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120C-M3/I

भाग स्टक: 40287

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40PWM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PWM45C-M3/I

भाग स्टक: 118574

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2090CT-E3/4W

भाग स्टक: 72411

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20DM120CHM3/I

भाग स्टक: 116209

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120C-M3/4W

भाग स्टक: 114616

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VIT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-E3/4W

भाग स्टक: 129940

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V30D60CL-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D60CL-M3/I

भाग स्टक: 43642

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20DM120HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20DM120HM3/I

भाग स्टक: 146854

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20PWM15C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM15C-M3/I

भाग स्टक: 165966

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30150C-M3/4W

भाग स्टक: 99689

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.36V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V8KM60DUHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8KM60DUHM3/H

भाग स्टक: 130665

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30120C-M3/4W

भाग स्टक: 95404

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V12W60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12W60C-M3/I

भाग स्टक: 140871

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20200G-E3/4W

भाग स्टक: 46960

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VFT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060C-M3/4W

भाग स्टक: 126423

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-E3/4W

भाग स्टक: 122919

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40120C-E3/4W

भाग स्टक: 48899

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-E3/4W

भाग स्टक: 132687

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

भाग स्टक: 100592

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

भाग स्टक: 109388

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

भाग स्टक: 128134

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

भाग स्टक: 102836

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

भाग स्टक: 67167

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40PW60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

भाग स्टक: 116952

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

भाग स्टक: 121490

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

भाग स्टक: 47709

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

भाग स्टक: 159782

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.01V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

भाग स्टक: 58911

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

भाग स्टक: 40301

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

भाग स्टक: 120106

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची