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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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SRF2040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2040HC0G

भाग स्टक: 143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS1545CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1545CT-Y MNG

भाग स्टक: 132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS1545CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1545CTHMNG

भाग स्टक: 104

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005G C0G

भाग स्टक: 82

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1650HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1650HMNG

भाग स्टक: 87

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1040 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1040 MNG

भाग स्टक: 151

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1604HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1604HC0G

भाग स्टक: 146

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CTHC0G

भाग स्टक: 112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20H100CT C0G

भाग स्टक: 91

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200CTHC0G

भाग स्टक: 81

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1005HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1005HC0G

भाग स्टक: 166

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1090CT C0G

भाग स्टक: 76

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1030 MNG

भाग स्टक: 108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF2030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2030HC0G

भाग स्टक: 102

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HER1602PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1602PT C0G

भाग स्टक: 76

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1590CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1590CT C0G

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS20H150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20H150CT MNG

भाग स्टक: 154

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CT C0G

भाग स्टक: 103

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR4050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4050PTHC0G

भाग स्टक: 152

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG2004PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PTHC0G

भाग स्टक: 195

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR30100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR30100PTHC0G

भाग स्टक: 128

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR4020PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4020PTHC0G

भाग स्टक: 148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR40100PT C0G

भाग स्टक: 190

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR6045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6045PTHC0G

भाग स्टक: 131

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR4090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4090PT C0G

भाग स्टक: 198

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR6090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6090PT C0G

भाग स्टक: 200

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR3040PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PTHC0G

भाग स्टक: 120

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050PT C0G

भाग स्टक: 129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR4045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4045PTHC0G

भाग स्टक: 201

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30200PTHC0G

भाग स्टक: 106

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR2040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040PT C0G

भाग स्टक: 118

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2090HC0G

भाग स्टक: 107

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR6060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6060PTHC0G

भाग स्टक: 142

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR3020PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3020PT C0G

भाग स्टक: 110

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR4030PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4030PTHC0G

भाग स्टक: 200

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR6050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6050PTHC0G

भाग स्टक: 159

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची