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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBRF2535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CTHC0G

भाग स्टक: 135

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150 C0G

भाग स्टक: 104

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1001 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001 C0G

भाग स्टक: 148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CT C0G

भाग स्टक: 109

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR1640PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PTHC0G

भाग स्टक: 95

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PT C0G

भाग स्टक: 85

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CTHC0G

भाग स्टक: 83

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CTHC0G

भाग स्टक: 143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MUR1620CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CT C0G

भाग स्टक: 126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CT C0G

भाग स्टक: 94

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PT C0G

भाग स्टक: 129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS2560CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CT MNG

भाग स्टक: 95

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CT C0G

भाग स्टक: 74

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CTHC0G

भाग स्टक: 115

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150 C0G

भाग स्टक: 94

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS2060 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2060 MNG

भाग स्टक: 112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF20150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150HC0G

भाग स्टक: 142

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30200PT C0G

भाग स्टक: 142

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF2020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2020 C0G

भाग स्टक: 146

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CTHC0G

भाग स्टक: 129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS3045CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS3045CTHMNG

भाग स्टक: 87

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035CTHC0G

भाग स्टक: 132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1630 C0G

भाग स्टक: 80

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1630 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1630 MNG

भाग स्टक: 92

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1090CTHC0G

भाग स्टक: 94

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS25150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CTHMNG

भाग स्टक: 133

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HERF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1002G C0G

भाग स्टक: 111

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1640HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1640HMNG

भाग स्टक: 120

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR10H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10H100CT C0G

भाग स्टक: 90

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF30200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30200CTHC0G

भाग स्टक: 118

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS20150 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS20150 MNG

भाग स्टक: 94

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS2550CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2550CT MNG

भाग स्टक: 133

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1004G C0G

भाग स्टक: 126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16150 C0G

भाग स्टक: 76

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1535CTHC0G

भाग स्टक: 158

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF3060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3060CTHC0G

भाग स्टक: 72

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची