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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBRS1560CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1560CT-Y MNG

भाग स्टक: 97

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045PTHC0G

भाग स्टक: 150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CTHC0G

भाग स्टक: 79

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200CT C0G

भाग स्टक: 154

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1560CTHC0G

भाग स्टक: 149

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1690 C0G

भाग स्टक: 171

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1006 C0G

भाग स्टक: 97

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS20H200CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20H200CT MNG

भाग स्टक: 143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640HC0G

भाग स्टक: 108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035CT C0G

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS1045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1045CT MNG

भाग स्टक: 145

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1535CT C0G

भाग स्टक: 87

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS25H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25H45CT MNG

भाग स्टक: 157

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HERF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1607G C0G

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS10150 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150 MNG

भाग स्टक: 108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L100CT C0G

भाग स्टक: 133

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CTHC0G

भाग स्टक: 96

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS1690HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690HMNG

भाग स्टक: 88

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS2545CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2545CT MNG

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HER1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1007G C0G

भाग स्टक: 109

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10150HC0G

भाग स्टक: 114

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SR16150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150PT C0G

भाग स्टक: 163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006G C0G

भाग स्टक: 78

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS15H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15H45CT MNG

भाग स्टक: 162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1002 C0G

भाग स्टक: 170

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRS2020 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020 MNG

भाग स्टक: 125

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660HC0G

भाग स्टक: 145

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CT C0G

भाग स्टक: 149

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS2045CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT-Y MNG

भाग स्टक: 100

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG6005PT C0G

भाग स्टक: 160

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CT C0G

भाग स्टक: 152

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SRF1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1620 C0G

भाग स्टक: 117

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HER1606PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1606PT C0G

भाग स्टक: 122

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40100PT C0G

भाग स्टक: 97

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRS20150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CTHMNG

भाग स्टक: 83

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.23V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605 C0G

भाग स्टक: 108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची