डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

MBR830MFST1G

भाग स्टक: 119353

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DSK10E

भाग स्टक: 1605

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

FMKA140

भाग स्टक: 5239

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NSR05F30NRT5G

भाग स्टक: 1552

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 430mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRD320RLG

भाग स्टक: 185309

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NRVTS10120MFST1G

भाग स्टक: 155295

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NTS12120MFST1G

भाग स्टक: 178572

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 830mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRD360RLG

भाग स्टक: 183284

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DSF10TC

भाग स्टक: 1635

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DSK10C-ET1

भाग स्टक: 1609

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DLE30C-KC9

भाग स्टक: 1598

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,

DLM10C-AT1

भाग स्टक: 1615

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,

DSF10TC-AT1

भाग स्टक: 1666

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

RD0504T-H

भाग स्टक: 1600

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

DSF10TB-AT1

भाग स्टक: 1657

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DSK10C-AT1

भाग स्टक: 1610

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DLM10C

भाग स्टक: 1657

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,

DSA17G

भाग स्टक: 1629

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 1.7A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MUR415RLG

भाग स्टक: 172333

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,

DLE30C

भाग स्टक: 1588

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,

MBR10100MFST1G

भाग स्टक: 177384

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SB10-03A2-BT

भाग स्टक: 1685

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

NRVB1240MFST1G

भाग स्टक: 107277

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SB10-03A3-AT1

भाग स्टक: 1615

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

RD0306T-H

भाग स्टक: 107807

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

SB10-03A3-BT

भाग स्टक: 1624

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

SB10-04A3-AT1

भाग स्टक: 1620

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DSF10TC-BT

भाग स्टक: 1610

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

NRVTS360ETFSTAG

भाग स्टक: 6527

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DSK10B-AT1

भाग स्टक: 5201

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SB11-04HP-TR-E

भाग स्टक: 1609

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1.1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR735G

भाग स्टक: 98988

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

UD0506T-H

भाग स्टक: 118751

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 150ns,

MBR560MFST1G

भाग स्टक: 117370

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SBRS5654T3G

भाग स्टक: 1592

DSF10TB-BT

भाग स्टक: 1590

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),