ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs

2SK3666-2-TB-E

भाग स्टक: 158873

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 600µA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2N5460

भाग स्टक: 3448

FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 750mV @ 1µA,

2SK932-22-TB-E

भाग स्टक: 109722

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 7.3mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100µA,

2SK2394-6-TB-E

भाग स्टक: 173212

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 10mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 300mV @ 100µA,

2SK3666-3-TB-E

भाग स्टक: 199601

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2SK932-23-TB-E

भाग स्टक: 187928

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 10mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100µA,

2SK2394-7-TB-E

भाग स्टक: 111814

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 16mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 300mV @ 100µA,

2SK545-11D-TB-E

भाग स्टक: 155340

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 60µA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.5V @ 1µA,

2SK932-24-TB-E

भाग स्टक: 189339

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 14.5mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100µA,

2SK715V

भाग स्टक: 3479

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 10mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2N5457_D74Z

भाग स्टक: 3416

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 25V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 10nA,

2SK2394-7-FRD-TB-E

भाग स्टक: 3439

2SK3796-3-TL-E

भाग स्टक: 3463

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2SK3738-TL-E

भाग स्टक: 3415

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 50µA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 2.3V @ 1µA,

2SK596S-A

भाग स्टक: 3481

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 100µA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 1µA,

2SK596S-C

भाग स्टक: 3473

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 210µA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 1µA,

2SK3796-2-TL-E

भाग स्टक: 3405

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 600µA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2SK3796-4-TL-E

भाग स्टक: 3426

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.5mA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2SK3666-4-TB-E

भाग स्टक: 101963

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.5mA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 10mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 180mV @ 1µA,

2SK715W-AC

भाग स्टक: 3406

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 14.5mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2SK715U-AC

भाग स्टक: 3469

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 7.3mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2SK715V-AC

भाग स्टक: 3461

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 10mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2SK715W

भाग स्टक: 3372

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 14.5mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2SK715U

भाग स्टक: 3435

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 7.3mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 100µA,

2SK596S-B

भाग स्टक: 3432

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 150µA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 1µA,

2SK771-5-TB-E

भाग स्टक: 3380

FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 5mA @ 10V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 20mA,

2N5639

भाग स्टक: 3367

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 35V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 20V,

2N5462

भाग स्टक: 3362

FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 4mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.8V @ 1µA,

2N5639RLRAG

भाग स्टक: 3393

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 35V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 20V,

2N5639G

भाग स्टक: 3405

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 35V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 20V,

2N5638RLRA

भाग स्टक: 3378

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 35V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 50mA @ 20V,

2N5638RLRAG

भाग स्टक: 3376

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 35V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 50mA @ 20V,

2N5461RLRAG

भाग स्टक: 3406

FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1V @ 1µA,

2N5462G

भाग स्टक: 3431

FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 4mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.8V @ 1µA,

2N5461RLRA

भाग स्टक: 3385

FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1V @ 1µA,

2N5639_D75Z

भाग स्टक: 3364

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 20V,