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ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction

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2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

भाग स्टक: 2509

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

भाग स्टक: 2537

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

भाग स्टक: 2538

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 1.6V, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 50µA,

इच्छा सुची
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

भाग स्टक: 2531

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

भाग स्टक: 2482

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 1.6V, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 50µA,

इच्छा सुची
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

भाग स्टक: 2534

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

भाग स्टक: 2493

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 1.6V, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 50µA,

इच्छा सुची
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

भाग स्टक: 2505

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

भाग स्टक: 2518

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 1.6V, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 50µA,

इच्छा सुची
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

भाग स्टक: 2522

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 600mV, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 25µA,

इच्छा सुची
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

भाग स्टक: 2457

भोल्टेज: 40V, पावर डिससिपेशन (अधिकतम): 300mW, भोल्टेज - आउटपुट: 11V, भोल्टेज - अफसेट (Vt): 1.6V, वर्तमान - एनोड चुहावट (इगाओ) मा गेट: 10nA, वर्तमान - उपत्यका (Iv): 50µA,

इच्छा सुची