FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 2V @ 10nA,
FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 240µA @ 2V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 100mV @ 1µA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.5mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 800mV @ 10nA,
FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 100µA @ 2V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 100mV @ 1µA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 30µA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 140µA @ 2V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 100mV @ 1µA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 20V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 100µA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 1µA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 5mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 5V @ 1µA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 50mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 4V @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 5mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 30mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 5V @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 4mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 6V @ 1nA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 6mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.5V @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 25mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 2V @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 25V, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 10nA,
FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 10mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 300mV @ 100µA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 25V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 30mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1V @ 3nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 30µA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.7V @ 1nA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 750mV @ 1µA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1V @ 1µA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 40V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 8mA @ 20V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1V @ 1nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 25V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 80mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 3V @ 10nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 8mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 500mV @ 1nA,
FET प्रकार: P-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 7mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 3V @ 10nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 30V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 8mA @ 15V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 800mV @ 0.5nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 50V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,
FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 20V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 150µA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 1mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 1µA,
FET प्रकार: N-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 15V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 16mA @ 5V, वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम: 50mA, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 600mV @ 10µA,
