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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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NRVBB30H60CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB30H60CTT4G

भाग स्टक: 73675

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FYPF2006DNTU
ON Semiconductor

FYPF2006DNTU

भाग स्टक: 120469

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 710mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSB30120CTG
ON Semiconductor

NTSB30120CTG

भाग स्टक: 73997

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.08V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSB30U100CTG
ON Semiconductor

NTSB30U100CTG

भाग स्टक: 101770

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
RHRG1560CC
ON Semiconductor

RHRG1560CC

भाग स्टक: 22990

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.1V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR60L45WTG
ON Semiconductor

MBR60L45WTG

भाग स्टक: 31157

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor

NRTSV30H120CTG

भाग स्टक: 99323

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFA60UA60DN
ON Semiconductor

FFA60UA60DN

भाग स्टक: 63339

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FYPF2004DNTU
ON Semiconductor

FYPF2004DNTU

भाग स्टक: 146633

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20L60CTG
ON Semiconductor

MBRF20L60CTG

भाग स्टक: 71832

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FYP2010DNTU
ON Semiconductor

FYP2010DNTU

भाग स्टक: 58656

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSJ20120CTG
ON Semiconductor

NTSJ20120CTG

भाग स्टक: 186599

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR60L45CTG
ON Semiconductor

MBR60L45CTG

भाग स्टक: 43925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSB40100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB40100CT-1G

भाग स्टक: 74104

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSJ30100CTG
ON Semiconductor

NTSJ30100CTG

भाग स्टक: 184505

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTST40100CTG
ON Semiconductor

NTST40100CTG

भाग स्टक: 85353

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSV30120CTG
ON Semiconductor

NTSV30120CTG

भाग स्टक: 184085

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.18V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSB20U100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20U100CT-1G

भाग स्टक: 157651

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2550CT
ON Semiconductor

MBR2550CT

भाग स्टक: 34625

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSB40100CTG
ON Semiconductor

NTSB40100CTG

भाग स्टक: 97239

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF10H150CTG
ON Semiconductor

MBRF10H150CTG

भाग स्टक: 85174

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFSH20120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH20120ADN-F155

भाग स्टक: 2915

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3060PT
ON Semiconductor

MBR3060PT

भाग स्टक: 3256

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2060CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2060CTT4G

भाग स्टक: 53373

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30H30CTG
ON Semiconductor

MBR30H30CTG

भाग स्टक: 101861

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 480mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NRVBD660CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD660CTG-VF01

भाग स्टक: 158106

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTST60100CTG
ON Semiconductor

NTST60100CTG

भाग स्टक: 65554

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTST30120CTG
ON Semiconductor

NTST30120CTG

भाग स्टक: 154950

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.08V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NTSJ3080CTG
ON Semiconductor

NTSJ3080CTG

भाग स्टक: 175636

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURB1620CTRT4G
ON Semiconductor

MURB1620CTRT4G

भाग स्टक: 80200

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NRVUB1660CTT4G
ON Semiconductor

NRVUB1660CTT4G

भाग स्टक: 40099

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB41H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB41H100CTT4G

भाग स्टक: 62577

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFSH4065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH4065ADN-F155

भाग स्टक: 2927

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 22A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

इच्छा सुची
MBRP3045NTU
ON Semiconductor

MBRP3045NTU

भाग स्टक: 69150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FYP1010DNTU
ON Semiconductor

FYP1010DNTU

भाग स्टक: 78822

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURHB840CTG
ON Semiconductor

MURHB840CTG

भाग स्टक: 45517

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची