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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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SBE812-TL-E
ON Semiconductor

SBE812-TL-E

भाग स्टक: 4047

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD1504A_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1504A_D87Z

भाग स्टक: 3886

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
SBT150-06J
ON Semiconductor

SBT150-06J

भाग स्टक: 3967

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBRB81545CTT4G
ON Semiconductor

SBRB81545CTT4G

भाग स्टक: 4018

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT250-06J
ON Semiconductor

SBT250-06J

भाग स्टक: 3955

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
M1MA152WKT1G
ON Semiconductor

M1MA152WKT1G

भाग स्टक: 193660

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
MMBD1204_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1204_D87Z

भाग स्टक: 3897

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
SBR160-10J
ON Semiconductor

SBR160-10J

भाग स्टक: 3975

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT80-10Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT80-10Y-DL-E

भाग स्टक: 4016

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT250-04J
ON Semiconductor

SBT250-04J

भाग स्टक: 4049

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT80-10JS
ON Semiconductor

SBT80-10JS

भाग स्टक: 4404

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT250-04L
ON Semiconductor

SBT250-04L

भाग स्टक: 4078

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFP12UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP12UP20DNTU

भाग स्टक: 3847

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFP20UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP20UP20DNTU

भाग स्टक: 3881

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20L80CTG
ON Semiconductor

MBRF20L80CTG

भाग स्टक: 3876

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBS818-TL-E
ON Semiconductor

SBS818-TL-E

भाग स्टक: 3996

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
NSVDAN222T1G
ON Semiconductor

NSVDAN222T1G

भाग स्टक: 154831

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
SBT100-16LS
ON Semiconductor

SBT100-16LS

भाग स्टक: 4089

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 160V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR100-10JS
ON Semiconductor

SBR100-10JS

भाग स्टक: 4076

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SB80W10T-H
ON Semiconductor

SB80W10T-H

भाग स्टक: 167243

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD1205_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1205_D87Z

भाग स्टक: 4476

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
SBR100-10J
ON Semiconductor

SBR100-10J

भाग स्टक: 3959

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20L80CTG
ON Semiconductor

MBR20L80CTG

भाग स्टक: 3874

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFPF12UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF12UP20DPTU

भाग स्टक: 3910

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FFPF60SB60DSTU
ON Semiconductor

FFPF60SB60DSTU

भाग स्टक: 3903

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT80-04J
ON Semiconductor

SBT80-04J

भाग स्टक: 4044

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR200-10JS
ON Semiconductor

SBR200-10JS

भाग स्टक: 4072

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30H80CTG
ON Semiconductor

MBR30H80CTG

भाग स्टक: 3944

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR100-16JS
ON Semiconductor

SBR100-16JS

भाग स्टक: 4483

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 160V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT150-04J
ON Semiconductor

SBT150-04J

भाग स्टक: 4001

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBE813-TL-E
ON Semiconductor

SBE813-TL-E

भाग स्टक: 4077

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD2838LT1G
ON Semiconductor

MMBD2838LT1G

भाग स्टक: 172896

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
SBT80-06LS
ON Semiconductor

SBT80-06LS

भाग स्टक: 3973

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBT150-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT150-04Y-DL-E

भाग स्टक: 3994

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBE807-TL-E
ON Semiconductor

SBE807-TL-E

भाग स्टक: 3998

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBA120-18J
ON Semiconductor

SBA120-18J

भाग स्टक: 1596

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 180V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची