Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

  • घर
  •  
  • ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल
NTD3055L170-1G
ON Semiconductor

NTD3055L170-1G

भाग स्टक: 311

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

इच्छा सुची
NTMFS4841NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4841NT3G

भाग स्टक: 528

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.3A (Ta), 57A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
FDPF12N35
ON Semiconductor

FDPF12N35

भाग स्टक: 328

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4707NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4707NT3G

भाग स्टक: 356

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4836NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4836NT3G

भाग स्टक: 546

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTD4855NT4G
ON Semiconductor

NTD4855NT4G

भाग स्टक: 515

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Ta), 98A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTD78N03G
ON Semiconductor

NTD78N03G

भाग स्टक: 343

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.4A (Ta), 78A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

इच्छा सुची
VN2222LLRLRA
ON Semiconductor

VN2222LLRLRA

भाग स्टक: 385

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 150mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची
NTJS3157NT2G
ON Semiconductor

NTJS3157NT2G

भाग स्टक: 115428

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

इच्छा सुची
NTD32N06G
ON Semiconductor

NTD32N06G

भाग स्टक: 359

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

इच्छा सुची
NTD5406NG
ON Semiconductor

NTD5406NG

भाग स्टक: 344

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12.2A (Ta), 70A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTD4810N-1G
ON Semiconductor

NTD4810N-1G

भाग स्टक: 305

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A (Ta), 54A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTHD5904NT3
ON Semiconductor

NTHD5904NT3

भाग स्टक: 298

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

इच्छा सुची
FDD3N40TF
ON Semiconductor

FDD3N40TF

भाग स्टक: 350

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V,

इच्छा सुची
NTY100N10G
ON Semiconductor

NTY100N10G

भाग स्टक: 383

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 123A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा सुची
FDA15N65
ON Semiconductor

FDA15N65

भाग स्टक: 348

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 440 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4121NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4121NT3G

भाग स्टक: 360

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

इच्छा सुची
NTD95N02R
ON Semiconductor

NTD95N02R

भाग स्टक: 322

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 24V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
NTD4855N-1G
ON Semiconductor

NTD4855N-1G

भाग स्टक: 445

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Ta), 98A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTD95N02RT4
ON Semiconductor

NTD95N02RT4

भाग स्टक: 354

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 24V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
NTR2101PT1
ON Semiconductor

NTR2101PT1

भाग स्टक: 316

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

इच्छा सुची
NTD30N02G
ON Semiconductor

NTD30N02G

भाग स्टक: 344

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 24V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTD60N02R-035
ON Semiconductor

NTD60N02R-035

भाग स्टक: 372

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.5A (Ta), 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
NTD78N03-1G
ON Semiconductor

NTD78N03-1G

भाग स्टक: 319

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.4A (Ta), 78A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

इच्छा सुची
NTR4502PT3G
ON Semiconductor

NTR4502PT3G

भाग स्टक: 345

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

इच्छा सुची
FDPF7N50
ON Semiconductor

FDPF7N50

भाग स्टक: 402

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

इच्छा सुची
FDMS8674
ON Semiconductor

FDMS8674

भाग स्टक: 499

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A (Ta), 21A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V,

इच्छा सुची
NTJS4405NT4
ON Semiconductor

NTJS4405NT4

भाग स्टक: 365

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

इच्छा सुची
NTR0202PLT3G
ON Semiconductor

NTR0202PLT3G

भाग स्टक: 318

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 400mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 10V,

इच्छा सुची
NTR4502PT1
ON Semiconductor

NTR4502PT1

भाग स्टक: 6039

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

इच्छा सुची
NTD5407NG
ON Semiconductor

NTD5407NG

भाग स्टक: 470

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A (Ta), 38A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
NTD4813N-35G
ON Semiconductor

NTD4813N-35G

भाग स्टक: 494

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
FDS5682
ON Semiconductor

FDS5682

भाग स्टक: 548

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

इच्छा सुची
SMP3003-TL-1E
ON Semiconductor

SMP3003-TL-1E

भाग स्टक: 34602

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा सुची
NTMSD2P102R2
ON Semiconductor

NTMSD2P102R2

भाग स्टक: 314

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.3A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

इच्छा सुची
NTD4808NT4G
ON Semiconductor

NTD4808NT4G

भाग स्टक: 489

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), 63A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची