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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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FDP51N25
ON Semiconductor

FDP51N25

भाग स्टक: 23411

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

इच्छा सुची
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor

NTB60N06LT4G

भाग स्टक: 855

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 60A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V,

इच्छा सुची
FDU8780_F071
ON Semiconductor

FDU8780_F071

भाग स्टक: 691

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

इच्छा सुची
FDB039N06
ON Semiconductor

FDB039N06

भाग स्टक: 6119

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.9 mOhm @ 75A, 10V,

इच्छा सुची
IRLM220ATF
ON Semiconductor

IRLM220ATF

भाग स्टक: 174026

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 5V,

इच्छा सुची
FQD16N25CTM_F080
ON Semiconductor

FQD16N25CTM_F080

भाग स्टक: 645

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा सुची
FDC3512_F095
ON Semiconductor

FDC3512_F095

भाग स्टक: 6093

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची
MTD6N15T4G
ON Semiconductor

MTD6N15T4G

भाग स्टक: 602

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची
NDS7002A_D87Z
ON Semiconductor

NDS7002A_D87Z

भाग स्टक: 579

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 280mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची
FDS7764A
ON Semiconductor

FDS7764A

भाग स्टक: 704

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 15A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

इच्छा सुची
FQT13N06LTF
ON Semiconductor

FQT13N06LTF

भाग स्टक: 168040

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.8A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4837NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT1G

भाग स्टक: 847

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), 74A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
NTMS4705NR2G
ON Semiconductor

NTMS4705NR2G

भाग स्टक: 825

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची
FQT13N06TF
ON Semiconductor

FQT13N06TF

भाग स्टक: 169448

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.8A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 1.4A, 10V,

इच्छा सुची
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor

FDB12N50UTM_WS

भाग स्टक: 659

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 800 mOhm @ 5A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4108NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4108NT1G

भाग स्टक: 904

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

इच्छा सुची
CPH6341-TL-E
ON Semiconductor

CPH6341-TL-E

भाग स्टक: 876

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची
NTD78N03T4G
ON Semiconductor

NTD78N03T4G

भाग स्टक: 813

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.4A (Ta), 78A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

इच्छा सुची
IRFW540ATM
ON Semiconductor

IRFW540ATM

भाग स्टक: 750

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 28A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा सुची
FDPF20N50T
ON Semiconductor

FDPF20N50T

भाग स्टक: 23375

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
FQD7P06TM_F080
ON Semiconductor

FQD7P06TM_F080

भाग स्टक: 692

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

इच्छा सुची
NTJS4160NT1G
ON Semiconductor

NTJS4160NT1G

भाग स्टक: 841

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 2.6A, 10V,

इच्छा सुची
NTMFS4847NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4847NAT1G

भाग स्टक: 701

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Ta), 85A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 11.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
FDA62N28
ON Semiconductor

FDA62N28

भाग स्टक: 570

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 280V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 62A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 31A, 10V,

इच्छा सुची
FDMB506P
ON Semiconductor

FDMB506P

भाग स्टक: 657

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V,

इच्छा सुची
FDC3612_F095
ON Semiconductor

FDC3612_F095

भाग स्टक: 608

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

इच्छा सुची
FDB047N10
ON Semiconductor

FDB047N10

भाग स्टक: 29699

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V,

इच्छा सुची
FDP6670AL
ON Semiconductor

FDP6670AL

भाग स्टक: 603

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 80A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

इच्छा सुची
FDI040N06
ON Semiconductor

FDI040N06

भाग स्टक: 876

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

इच्छा सुची
IRLR120ATF
ON Semiconductor

IRLR120ATF

भाग स्टक: 793

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 220 mOhm @ 4.2A, 5V,

इच्छा सुची
NTMFS4121NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4121NT1G

भाग स्टक: 816

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

इच्छा सुची
NTD4858NAT4G
ON Semiconductor

NTD4858NAT4G

भाग स्टक: 707

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
SFW9Z34TM
ON Semiconductor

SFW9Z34TM

भाग स्टक: 706

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 18A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

इच्छा सुची
NDT454P
ON Semiconductor

NDT454P

भाग स्टक: 101089

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 5.9A, 10V,

इच्छा सुची
FDC655AN
ON Semiconductor

FDC655AN

भाग स्टक: 569

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6.3A, 10V,

इच्छा सुची
FQPF47P06
ON Semiconductor

FQPF47P06

भाग स्टक: 22005

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा सुची