ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

5HN01C-TB-EX

भाग स्टक: 2210

5HP01M-TL-H

भाग स्टक: 110639

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

भाग स्टक: 114622

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

भाग स्टक: 1973

5HP01SS-TL-E

भाग स्टक: 142336

5HP01SS-TL-H

भाग स्टक: 108914

5HP01C-TB-H

भाग स्टक: 157648

5HP01M-TL-E

भाग स्टक: 1963

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

भाग स्टक: 1979

5HP01C-TB-E

भाग स्टक: 6246

5HN01SS-TL-H

भाग स्टक: 146833

5HN01SS-TL-E

भाग स्टक: 154338

5HN01M-TL-E

भाग स्टक: 1932

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

भाग स्टक: 102036

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

भाग स्टक: 147399

5HN01C-TB-E

भाग स्टक: 176441

5LN01SP-AC

भाग स्टक: 6260

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

भाग स्टक: 128226

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

भाग स्टक: 1826

5LP01SP

भाग स्टक: 1894

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

भाग स्टक: 6268

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

भाग स्टक: 1839

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

भाग स्टक: 1842

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

भाग स्टक: 6223

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

भाग स्टक: 1441

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

भाग स्टक: 1507

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

भाग स्टक: 174960

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

भाग स्टक: 128915

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

भाग स्टक: 1448

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

भाग स्टक: 6222

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

भाग स्टक: 1469

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

भाग स्टक: 109264

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

भाग स्टक: 185339

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

भाग स्टक: 646

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V,

5LP01SP-AC

भाग स्टक: 9476

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

भाग स्टक: 133677

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 370mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,