डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 13

UFT12780

भाग स्टक: 4162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT60145

भाग स्टक: 4054

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16230A

भाग स्टक: 4091

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT14280A

भाग स्टक: 4156

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16145

भाग स्टक: 4058

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT40145A

भाग स्टक: 4471

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16050D

भाग स्टक: 4112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD60-12

भाग स्टक: 4095

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT40090

भाग स्टक: 4107

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD120-08

भाग स्टक: 4058

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST8145D

भाग स्टक: 4503

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST80100D

भाग स्टक: 4119

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD120-18

भाग स्टक: 4127

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT12050

भाग स्टक: 4068

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST63100

भाग स्टक: 4053

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD165-18

भाग स्टक: 4123

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT7260SM1C

भाग स्टक: 3979

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT14260A

भाग स्टक: 4135

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD70-18

भाग स्टक: 4150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT12780D

भाग स्टक: 4098

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD70-08

भाग स्टक: 4470

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT40145D

भाग स्टक: 4069

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT14140D

भाग स्टक: 4449

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16145A

भाग स्टक: 4066

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD120-18

भाग स्टक: 4436

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD60-18

भाग स्टक: 4088

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD36-18

भाग स्टक: 4061

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD36-12

भाग स्टक: 4011

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD36-08

भाग स्टक: 4033

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST80150SM5C

भाग स्टक: 4040

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT60045D

भाग स्टक: 5475

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT20020

भाग स्टक: 4002

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16230

भाग स्टक: 4145

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST153100A

भाग स्टक: 1610

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT600150D

भाग स्टक: 4058

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT60045

भाग स्टक: 4092

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची