डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

घर
डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

Microsemi Corporation

APT15D100BHBG

भाग स्टक: 3846

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD120-12

भाग स्टक: 3126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD70-12

भाग स्टक: 3640

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD200-12

भाग स्टक: 1707

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD200-16

भाग स्टक: 1634

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD60-12

भाग स्टक: 3374

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD60-16

भाग स्टक: 3713

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD165-16

भाग स्टक: 1961

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST30100

भाग स्टक: 15979

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

भाग स्टक: 83378

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3045FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

भाग स्टक: 83376

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3040FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

भाग स्टक: 83345

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD36-08

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3060FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

भाग स्टक: 83401

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3090FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3090FCTE3/TU

भाग स्टक: 83419

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

भाग स्टक: 83420

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR30100CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR30100CTE3/TU

भाग स्टक: 83396

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

S16-4150E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4150E3/TR13

भाग स्टक: 33996

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR40100PTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR40100PTE3/TU

भाग स्टक: 77627

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4148E3/TR7

भाग स्टक: 35633

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

S16-4148E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR13

भाग स्टक: 33968

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4148/TR13

भाग स्टक: 29651

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR7

भाग स्टक: 35658

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR13

भाग स्टक: 44423

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MBR3040CTE3/TU

भाग स्टक: 83326

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MBR3060CTE3/TU

भाग स्टक: 83324

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR7

भाग स्टक: 27341

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S16-4150/TR13

भाग स्टक: 27323

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3080FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3080FCTE3/TU

भाग स्टक: 83408

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S16-4148/TR7

भाग स्टक: 20355

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S16-4148/TR13

भाग स्टक: 27309

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4148/TR7

भाग स्टक: 23783

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR3050FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3050FCTE3/TU

भाग स्टक: 83385

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

S8-4150/TR7

भाग स्टक: 23768

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

MBR20200CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR20200CTE3/TU

भाग स्टक: 83329

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MBR3080CTE3/TU

भाग स्टक: 83384

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

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