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MSAD165-08

भाग स्टक: 4102

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT14020

भाग स्टक: 3991

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD100-08

भाग स्टक: 3338

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT30060D

भाग स्टक: 4058

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT30090A

भाग स्टक: 4486

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD120-16

भाग स्टक: 4021

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD100-18

भाग स्टक: 4108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16050A

भाग स्टक: 4095

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD60-16

भाग स्टक: 4408

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSKD120-12

भाग स्टक: 4041

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD165-12

भाग स्टक: 4119

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD70-12

भाग स्टक: 4083

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD70-16

भाग स्टक: 4007

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST16050

भाग स्टक: 4008

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD200-08

भाग स्टक: 4013

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD60-08

भाग स्टक: 4042

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT60035

भाग स्टक: 4019

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD165-12

भाग स्टक: 1977

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD200-16

भाग स्टक: 3964

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST8145A

भाग स्टक: 4121

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT14020D

भाग स्टक: 4152

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSKD165-08

भाग स्टक: 1973

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD200-18

भाग स्टक: 4160

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT12050D

भाग स्टक: 4090

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD200-12

भाग स्टक: 4064

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT7130A

भाग स्टक: 4057

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT30050D

भाग स्टक: 4104

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT30145

भाग स्टक: 4009

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

UFT12520A

भाग स्टक: 4164

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD60-08

भाग स्टक: 4076

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

FST30050

भाग स्टक: 4042

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSCD100-16

भाग स्टक: 4050

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

MSAD120-16

भाग स्टक: 3954

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

UFT12780A

भाग स्टक: 4107

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

CPT30045

भाग स्टक: 3970

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

FST16145D

भाग स्टक: 4501

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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